Kioxia 研究人员演示 Hepta 级单元 NAND 闪存

Kioxia 的 NAND 研究人员已成功展示了一种名为 Hepta 级单元 NAND 闪存的新型存储架构的工作概念。这种新型 NAND 每个单元最多可容纳 7 位，使其存储容量几乎是 QLC NAND 闪存的两倍。如果铠侠能够在室温下稳定这种存储架构，它可能会成为消费者和企业应用中旋转硬盘的最终替代者。

为了创建七级 NAND 闪存，Kioxia 正在使用一种称为新硅工艺技术的新设计来增加单元密度，并结合低温冷却。新的硅工艺技术用单晶硅取代了当前的多晶硅材料，用于存储单元晶体管内的沟道。这显然将来自 NAND 闪存的读取噪声量减少了多达三分之二。换句话说，新的硅工艺技术产生更清晰的读取信号，用于从 NAND 闪存读取数据，足以将位单元容量增加到 7。

Kioxia 表示，这种新的存储架构的生产成本也将大大降低，甚至提出了一种将七级闪存与低温冷却相结合的解决方案。这将比当今市场上现有的(风冷或被动冷却)SSD 便宜。

如果铠侠在不久的将来开始生产七级 NAND 闪存，它可能会永远改变 SSD 的格局。超大容量SSD终将成为可能，SSD终将拥有与当今市场上绝大部分硬盘相匹配的容量。

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